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F I C H A D E L D O C U M E N T O
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FUNCIONES DE ONDA DE ACEPTORES EN ARSENIURO DE GALIO
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FUNCIONES DE ONDA DE ACEPTORES EN ARSENIURO DE GALIO
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Esta imagen STM muestra una superficie (110) de arseniuro de galio (GaAs) crecida mediante técnicas de epitaxia de haces moleculares (MBE). La imagen se ha obtenido en condiciones de ultra-alto vacío (UHV) a una temperatura de 77K. La estructura triangular corresponde a la presencia de berilio mientras que la estructura con forma de “pajarita” está asociada al manganeso. Ambos elementos se usan como dopantes y confieren al material interesantes propiedades como semiconductor magnético.
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Técnica utilizada: Microscopio de Efecto Túnel (STM).
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Girard, Jean-Christophe
CNRS (Francia)
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Resolución mínima: 1024 x 768 Navegadores: Firefox 3.5.1/Internet Explorer 7.0
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